El procesador A10X del nuevo iPad Pro es de 10 nanómetros

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TechInsights ha corroborado que el chip A10X de los recientes iPad Pro está construido utilizando un procedimiento FinFET de diez nanómetros

Apple lanzó nuevos prototipos iPad Pro en la WWDC este año, de 10,5 pulgadas y 12,9 pulgadas. Ambos aparatos cuentan con el nuevo chip Fusion A10X. Apple™ garantizara que ofrece un rendimiento un 30% mas rápido en cuanto a GPU que la anterior generación de iPad Pro. Y un rendimiento gráfico un 40% mas rápido. El procedimiento de fabricación por el que Apple™ fabricó el chip no fue aclarado por la compañía, incluso ahora.

TechInsights ha corroborado que el chip A10X fue construido utilizando un procedimiento FinFET de diez nanómetros. Por lo que estaríamos ante el primer procesador de este tipo fabricado por Taiwán Semiconductor Manufacturing Company, TSMC. En comparación, el A9 y el A10 se construyeron utilizando un procedimiento de dieciséis nanómetros, el A8 utilizó un procedimiento de veinte nanómetros y el A7 utilizó un procedimiento de 28 nanómetros.

Como ha destacado AnandTech esta decisión no es muy normal en Apple. Los A9, A8 y A7 debutaron con un reciente procedimiento de fabricación, pero en el iPhone. No está claro por qué Apple™ ha decidido fabricar un chip de la serie X a mitad de generación con un nuevo proceso y también en un iPad. Quizás el chip A10X se parezca mas al futuro A11 que al A10 del iPhone 7.

En comparación con los anteriores de SoC de la serie X, el A10X es un 34% mas pequeño que el A9X y un 20% mas pequeño que el A6X. En otras palabras, “Apple jamás ha hecho un SoC tan pequeño antes”. Es un producto que está enfocado a utilizar al máximo el ahorro de espacio.

El chip A10X es el anticipo del A11 del iPhone 8

En marzo se informó que TSMC se estaba organizando para comenzar la producción en el chip A11 del iPhone 8. Después de un retraso, todo señala que la producción ha comenzado oficialmente. También utilizando el procedimiento FinFET de diez nanómetros del fabricante. En general, el cambio a diez nanómetros en lugar de dieciséis nanómetros conseguirá chips que son mas eficientes y rápidos.

Pero esto no es todo. TSMC tiene previsto que el procedimiento FinFET de diez nanómetros sea de corta duración. Ya que se dice que el fabricante se está organizando para saltar a un procedimiento de siete nanómetros en 2018. Se imagine que otros fabricantes, incluyendo Samsung™ e Intel, pueden alargar un poco mas en el período este tipo de fabricación.

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