Qualcomm podría anunciar el Snapdragon 845 a principios de diciembre

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No es ningún secreto que Qualcomm™ está organizando el sucesor del Snapdragon™ 835 de este año, que llevará por nombre Snapdragon™ 845.

Los rumores apuntan a que el Samsung™ Galaxy™ S9 podría ser el primer movil en venir con este procesador, de igual figura que el año pasado el Snapdragon™ 835 debutó con el Galaxy S8.

La noticia es que la compañia estadounidense de semiconductores podría anunciar el Snapdragon™ 845 en la Cumbre Tecnológica de Snapdragon™ que poseera lugar en diciembre.

El suceso está programado para el 4-8 de diciembre y se llevará a cabo en Maui, Hawaii, según alguna invitación notificada en Weibo.

El Snapdragon™ 835 fue presentado oficialmente en el CES 2017 en enero, por lo que el reciente ejemplo parece venir un mes antes. En cualquiera caso, no parece posible que veamos el chip en producción anteriormente de primavera, con la llegada del Galaxy™ S9.

Los rumores mencionan que el Snapdragon™ 845 será un chip de 8 núcleos, como el actual Snapdragon™ 835, con cuatro núcleos ARM Cortex-A75 y 4 núcleos ARM Cortex-A53. La GPU Adreno 630 de Qualcomm™ se encargará del procesamiento gráfico, y se espera que ofrezca un rendimiento gráfico significativamente mejor que la Adreno 540.

En lo que respecta a la eficiencia energética, no esperamos ver alguna mejora significativa. La mayoría de los informes parecen sugerir que el próximo buque insignia de Qualcomm™ será fabricado por Samsung™ en el idéntico procedimiento FinFET de 10nm que el Snapdragon™ 835.

Algunos rumores habían sugerido que veríamos los principales chips celulares de 7nm  a inicios del próximo año, pero ahorita parece que poseeremos que aguardar a finales de 2018 u inicios de 2019. En palabras de conectividad, se rumorea que el Snapdragon™ 845 asistirá con el módem X20 con velocidades de descarga de incluso 1,2 Gbps. | Fuente: MySmartPrice

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