¿Son necesarios 512GB en un smartphone? El Samsung Galaxy S9 podría llegar con esta capacidad

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Samsung Electronics ha enunciado el comienzo de la producción en serie de la primera solución de almacenamiento flash universal (eUFS) integrado de 512 GB(Gigabyte) para su uso en aparatos celulares de próxima generación

Utilizando los últimos chips V-NAND de Samsung™ de 64 capas y 512 GB, el reciente chip eUFS de 512 GB(Gigabyte) proporciona una capacidad de almacenamiento sin precedente y un rendimiento excepcional para los próximos moviles y tabletas estrella.

“El reciente Samsung™ eUFS 512GB proporciona la mejor solución de almacenamiento integrado para moviles premium de última generación, superando las limitaciones potenciales en el rendimiento del sistema que pueden suceder con el uso de tarjetas micro SD”, elucida Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung™ Electronics.

Compuesto por 8 chips V-NAND de 64 capas de 512GB y un chip controlador, el reciente UFS de 512GB de Samsung™ duplica la densidad de los anteriores 256GB eUFS basados en V-NAND de 48 capas de Samsung, en la misma medida de espacio.

La mayor capacidad de almacenamiento del eUFS permite, por ejemplo, almacenar aproximadamente 130 clips de vídeo 4K Ultra HD (3840×2160) de alguna duración de diez minutos.

Para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética del reciente eUFS de 512 GB, Samsung™ ha introducido un grupo de tecnologías patentadas. El boceto de circuito de V-NAND de 64 capas y la nueva tecnología de gestión de fuerza del controlador eUFS de 512GB minimizan el inevitable incremento en el consumo de energía, lo que es particularmente relevante ya que la nueva solución eUFS de 512GB contiene el doble de células en comparación con un eUFS de 256GB. Además, el chip controlador de 512GB eUFS’ acelera el procedimiento de mapeo para transformar las direcciones de bloques lógicos a las de bloques físicos.

El Samsung™ 512GB eUFS además cuenta con un alto rendimiento de lectura y escritura. Con alguna lectura y alguna escritura secuencial que logra incluso 860 megabytes por segundo (MB/s) y 255MB/s respectivamente, la memoria incorporada de 512GB concede transferir un clip de vídeo Full HD equivalente a 5GB a alguna unidad SSD en unos 6 segundos, 8 veces mas rápido que alguna tarjeta microSD típica.

Para las operaciones aleatorias, el reciente eUFS puede leer 42.000 IOPS y escribir 40.000 IOPS. Las rápidas escrituras aleatorias del eUFS son aproximadamente 400 veces mas rápidas que la agilidad de 100 IOPS de alguna tarjeta microSD convencional, lo que concede a los clientes celulares gozar de experiencias multimedia como disparos en ráfaga de alta resolución, busca de archivos(datos) y más.

Aunque Samsung™ no lo ha denominado expresamente, todo parece indicar que el Samsung™ Galaxy™ S9 será el primero en estrenar esta capacidad de almacenamiento, por lo que veremos alguna variante con 512GB del próximo móvil estrella de la compañía.

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